主要规格及技术指标
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1、二次电子分辨率:≤0.6 nm @ 15kV;≤0.8 nm @ 1kV; |
主要功能及特色
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Helios 5 UX可用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上微纳结构的表征及高质量定点APT、TEM样品制备,化学和晶体结构三维形态分析。可进行离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积;高分辨扫描电镜功能可对离子束加工试样进行实时观测。 |
主要附件及配置
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同轴TKD和平插能谱 |